Призначення ОЗУ Призначення ОЗУ DIMM (Dual in-lane Memory Module - двосторонній модуль пам'яті) - форм-фактор модулів пам'яті DRAM.
Види пам'яті Види пам'яті На сьогодні найбільшого поширення мають два види пам'яті: SRAM (Static RAM) - ОЗУ, зібране на тригерах, називається статичної пам'яттю з довільним доступом або просто статичної пам'яттю. Гідність цього виду пам'яті - швидкість. Недолік - висока ціна. DRAM (Dynamic RAM) - більш економічний вид пам'яті. Для зберігання розряду використовується схема, що складається з одного конденсатора і одного транзистора. Переваги: вирішує проблему дорожнечі і компактності. Недоліки: по-перше, пам'ять на основі конденсаторів працює повільніше, по-друге, істотний мінус - конденсатори схильні до «стікання» заряду; простіше кажучи, з часом конденсатори розряджаються. Для цього заряд конденсаторів необхідно регенерувати через певний інтервал часу - для відновлення. Таким чином, DRAM дешевше SRAM і її щільність вище, що дозволяє на тому самому просторі кремнієвої підкладки розміщувати більше бітів, але при цьому її швидкодію нижче. SRAM, навпаки, більш швидка пам'ять, але зате і дорожче. У зв'язку з цим звичайну пам'ять будують на модулях DRAM, а SRAM використовується для побудови, наприклад, кеш-пам'яті в мікропроцесорах.
Пристрій пам'яті Пристрій пам'яті Фізично пам'ять DRAM складається з осередків, створених в напівпровідниковому матеріалі, в кожній з яких можна зберігати певний обсяг даних, від 1 до 4 біт. Сукупність осередків такої пам'яті утворюють умовний «прямокутник», що складається з певної кількості рядків і стовпців. Один такий «прямокутник» називається сторінкою, а сукупність сторінок називається банком. Весь набір осередків умовно ділиться на кілька областей. При відсутності подачі електроенергії до пам'яті цього типу відбувається розряд конденсаторів, і пам'ять спустошується (обнуляється). Для підтримки необхідного напруги на обкладках конденсаторів осередків і збереження їх вмісту, їх необхідно періодично заряджати, докладаючи до них напруги через комутуючі транзисторні ключі. Таке динамічне підтримку заряду конденсатора є основоположним принципом роботи пам'яті типу DRAM. Конденсатори заряджають в разі, коли в «осередок» записується одиничний біт, і розряджають в разі, коли в «осередок» необхідно записати нульовий біт. Важливим елементом пам'яті цього типу є чутливий підсилювач, підключений до кожного з стовпців «прямокутника». Він, реагуючи на слабкий потік електронів, котрі рвонули через відкриті транзистори з обкладок конденсаторів, зчитує всю сторінку цілком. Саме сторінка є мінімальною порцією обміну з динамічною пам'яттю, тому що обмін даними з окремо взятої осередком неможливий. При зверненні до комірки пам'яті контролер пам'яті задає номер банку, номер сторінки в ньому, номер рядка та номер стовпчика і на всі ці запити витрачається час, крім цього досить великий період йде на відкриття і закриття банку після самої операції. На кожну дію потрібно час, зване таймингом.
Регенерація пам'яті Регенерація пам'яті Пам'ять DRAM виготовляється на основі конденсаторів невеликої ємності, які швидко втрачають заряд, тому інформацію доводиться оновлювати через певні проміжки часу, щоб уникнути втрат даних. Цей процес називається регенерацією пам'яті. Він реалізується спеціальним контролером, встановленим на материнській платі або ж на кристалі центрального процесора. Протягом часу, званого кроком регенерації, в DRAM перезаписується ціла рядок комірок, і через 8-64 мс оновлюються всі рядки пам'яті.
Тип пам'яті Тип пам'яті В даний час активно використовуються два типи оперативної пам'яті: DDR2 і DDR3, що прийшли на зміну DDR. Розшифрувати цю абревіатуру можна наступним чином - Double Data Rate. DDR2 є більш сучасним заступником DDR, що стало можливим завдяки подвоєною частотою шини, використовуваної для передачі даних. За допомогою цього в значній мірі підвищилася швидкість передачі інформації, що дозволило зробити великий крок вперед в області інформаційних систем і комп'ютерних технологій. DDR3 - ще більш сучасний тип пам'яті, покликаний замінити DDR2. Головна особливість - більш висока продуктивність і знижене практично вдвічі спожите напруга. DDR I DDR II DDR III
Об'єм пам'яті Об'єм пам'яті Об'єм пам'яті - один з найбільш важливих параметрів, що впливають на продуктивність ОЗУ. В даний час найбільш часто зустрічаються модулі пам'яті з об'ємом 1 Гб, 2 Гб і 4 Гб. Для роботи на сучасних комп'ютерах доведеться стати володарем модуля ОЗУ з досить великим обсягом пам'яті: від 1024 Мб і вище. Слід звернути увагу і на особливості сучасних операційних систем. Так наприклад, близько 1 Гб оперативної пам'яті знадобиться лише для того, щоб ОС Windows Sevenмогла здійснювати роботу в комфортному режимі, не кажучи вже про підключення різних ресурсовитратності додатків.
Двох і трьохканальний режим двох і трьохканальний режим Двоканальний режим - режим роботи оперативної, при якому робота з кожним другим модулем пам'яті здійснюється паралельно роботі з кожним першим - в той час як на одноканальному контролері пам'яті всі модулі обслуговуються одночасно одним контролером. Двоканальний режим підтримується, якщо на обох каналах DIMM встановлено однакову кількість пам'яті. Технологія і швидкість пристроїв на різних каналах можуть відрізнятися один від одного, проте загальний обсяг пам'яті для кожного каналу повинен бути однаковим.
Таймінги таймінги Йдеться про временнихзадержках сигналу, що супроводжують роботу будь-якої оперативної пам'яті. Формат позначення таймінгів представляється у вигляді трьох чисел (іноді чотирьох), що вказують на затримку сигналу, який вимірюється в тактах роботи процесора. Приклад відображення таймингов: 3-3-3 або 2-2-3-6. Чим менше таймінги, тим швидше буде працювати система.